Samsung разработиха триизмерна флаш памет

Технологичният гигант потвърди информацията, че вече успешно е разработена 3D NAND памет и тя много скоро ще бъде интегрирана в бъдещите смартфони на компанията. Проектът на Samsung е доста иновативен и това ще бъде първата подобна флаш памет, позната на човечеството. Интересното при технологията е, че всички компоненти са позиционирани вертикално, което позволява по-добро "взаимодействие" между тях. Това от своя страна пък се отразява на бързината на работата и ефективността, като корейският бранд обещава на потребителите двойно по-бърза скорост за трансфер на данни и 10 пъти по-голяма устойчивост на паметта.

Тази нестандартна триизмерна структура е доста обещаваща и разбира се, Samsung ще продължат да развиват своя проект. В момента, тези V-NAND флаш модули ще бъдат достъпни с памет до 16GB, но се очаква капацитета да се повиши в най-скоро време до 128GB, а в последствие дори до 1ТВ. От Samsung не разкриват повече подробности и ни оставят в неведение по въпроса кое ще е първото устройство с тази 3D NAND памет, но едва ли от компанията ще се забавят много, така че скоро можем да очакваме нещо ново и интересно.